Д О Д А Т К И

 

Таблиця Д1 - Ряди номінальних значень

 

Індекс ряду

 

Позиції ряду

Допустиме відхилення від номінальної величини, %

Е6

1,0;  1,5;  2,2;  3,3;  4,7;  6,8

±20

 

Е 12

1,0;  1,2;  1,5;  1,8;  2,2;  2,7;  3,3;  3,9;  4,7;  5,6;  6,8;  8,2

± 10

 

Е24

 

1,0;  1,1;  1,2;  1,3;  1,5;  1,6;  1,8;  2,0;  2,2;  2,4;  2,7;  3,0;  3,3;  3,6;  3,9;  4,3;  4,7;  5,1;  5,6;  6,2;  6,8;  7,5;  8,2;  9,1

 

±5

 

 

    Числу в індексі знаменника ряду відповідає кількість позицій ряду: так, ряд Е24 має 24 номінальних значення у проміжку від 1 до 10 (більша кількість при допустимому відхиленні ± 5 % не потрібна).

    Будь-яке номінальне значення ряду може бути помножене на множ­ник 10n. Множники та їх позначення наведені в табл. Д2 (може бути, наприклад: 6,8Ом; 680Ом; 6,8кОм; 68кОм; 6,8мкФ; 0,68нФ; 6800пФ та ін.).

 

 

Таблиця Д2 - Множники для утворення десяткових часткових та кратних одиниць

Множник 10n

 

Пристав-ка

 

Параметр елемента

Опір

Ємність

Назва

Позна-

чення

Назва

Позна-чення

109

106

103

 1

10-3

10-6

10-9

10-12

гіга

мега

кіло

 

мілі

мікро

нано

піко

гігаом мегаом кілоом

 

міліом

ГОм

МОм

КОм

Ом

мОм

 

 

 

фарада

 

мікрофарада нанофарада пікофарада

 

 

 

Ф

 

мкФ

нФ

пФ

 

 

Таблиця Д3 - Постійні резистори

Тип резистора

Діапазон опорів

Номінальна потужність, Вт

 

МЛТ

1 Ом ÷ 3,01 МОм

1 Ом ÷ 5,1 МОм

1 Ом ÷ 10 МОм

0,025; 0,05; 0,125

0,25; 0,5

1;2

 

 

С2-33

1 Ом ÷ 3 МОм

1 Ом ÷ 5,1 МОм

0,1 Ом ÷ 5,1 МОм

1 Ом ÷ 10 МОм

1 Ом ÷ 22 МОм

0,125

0,25

0,5

1

2

ПЕВ-2,5

ПЕВ-7

ПЕВ-10

45 Ом ÷ 430 Ом

5 Ом ÷ 33 кОм

5 Ом ÷ 10 кОм

2,5

7

10

 

 

Таблиця Д4 - Змінні резистори

Тип резистора

Діапазон опорів

Номінальна потужність, Вт

СП 2

СП 3-12

20 Ом ÷ 20 кОм

27 Ом ÷ 27 кОм

2

3

 

Таблиця Д5 - Фоторезистори

Тип

Робоча напруга, В

Темновий опір, МОм

Питома чутливість,

мА/(лмВ)

Інтегральна чутливість,

мк/(лм)

Потуж-ність,

мВт

Світловий струм,

мА

СФ2-1

15

15

10

400

10

1

ФСД

20

20

40

2,8

50

2

СФ2-9

25

3,3

75

2,4

125

0,9

ФСА-6

30

0,3

0,5

0,7

10

0,75

ФСА-Г1

40

1

0,5

0,7

10

0,35

ФСК-1

50

3,3

7

2,8

125

2

СФ2-8

100

100

1,5

1,0

125

1

 

Таблиця Д6 – Варистори (нелінійні резистори).

Тип резистора

Номін. напруга, В

Номін. струм,

мА

Номін. потужність, Вт

Коефіцієнт нелінійності

СН 1–1–1

560 ÷ 1500

10

1

3,5 ÷ 4,5

СН 1–2 – 1

56 ÷ 270

8

1

3,6

СН 1– 10

15 ÷ 47

10

3

3,2

 

Таблиця Д7 – Терморезистори

Назва

Тип резистора

Номін.опір,

кОм

Температурний к-нт опору,

%, ̊С

Номін. потужність, мВт

Термістор

СТ 1-17

0,3 ÷ 22

4 ÷ 7

500

КМТ-1

22 ÷ 1000

4,2 ÷ 8,4

8

Позистор

СТ 6-1А

0,04 ÷ 0,4

10

1100

СТ 6-3Б

1 ÷ 10

15

200

Таблиця Д8 - Основні параметри деяких випрямних діодів.

Тип

діода

 

Граничні електричні параметри при  температурі оточуючого середовища 25 ± 5 °С

Допустима зворотна напруга Uзв. д , В

Середнє значення випрямленого струму Іа н, А

Пряме падіння напруги Uпр

(при Іа  мах), В

КД105Б

400

0,3

1

 

КД105В

600

КД205А

500

0,5

КД205Б

400

КД205В

300

КД205Г

200

КД205Д

100

0,5

1

 

КД205К

0,7

КД205Л

200

КД208

100

1,0

КД209Л

400

0,7

КД209Б

600

КД202А

50

3,5

КД202Б

1,0

КД202В

100

3,5

КД202Г

1,0

КД202Д

200

3,5

КД202Н

1,0

 

Таблиця Д9 - Основні параметри деяких стабілітронів.

Тип стабілітрона

Напруга стабілізації

Uст. , В

ТКН,

град-1

Диф. опір

Rд, Ом

Максимальний струм

Іст. мах, мА

КС133А

3,0 ÷ 3,6

0,11

65

81

КС139А

3,7 ÷ 4,2

0,1

60

70

КС147А

4,2 ÷ 5,2

0,1

56

58

КС156А

5,0 ÷6,4

0,05

46

55

КС168А

6,12 ÷7,5

0,06

28

45

Д814А

8

0,07

6

40

Д814Б

9

0,08

10

36

Д814В

10

0,09

12

32

Д814Г

11

0,095

15

29

Д814Д

13

0,095

18

24

Д815Д

12

0,095

10

300

КС515Г

15

0,005

25

31

КС520В

20

0,001

210

22

КС524Г

24

0,005

40

19

КС531

31

0,005

350

15

КС547В

47

0,001

490

10

КС568

68

0,001

700

10

КС596

96

0,001

980

7

Примітка. Мінімальний струм для всіх стабілітронів становить

Іст. мін= 3мА.

 

Таблиця Д10 – Конденсатори постійної ємності

Номінальна напруга,

В

Номінальна ємність, мкФ

К50-7

К 50-35

К 50-18

К10-17

К73-17

6,3

 

20; 30; 50; 100; 200; 500

220000

 

 

 

10

 

10; 20; 30; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 5000

100000

 

 

 

16

 

5; 10; 20; 30; 50; 100; 200; 300; 1000; 2000; 5000

22000 68000 100000

 

 

 

25

 

2; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200; 500; 000; 2000; 5000

15000 33000 100000

 

 

 

50

 

2; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200; 500;1000; 2000

4700 10000 15000

0,001; 0,01; 0,022.

 

 

100

 

0,5; 1; 2,5; 10; 20; 30; 50

2200 4700 10000

 

 

 

160

2; 50; 100; 200; 500

1,2; 5; 10; 20

 

 

1,5; 2,2

 

250

10; 20; 50; 100 200

 

1000 4700

 

0,047; 0,068; 0,1; 0,15; 0,22; 0,33; 0,47; 0,68; 1

 

300

5; 10; 20; 50; 100; 200

 

 

 

 

350

10; 20; 50; 100

 

 

 

 

450

10; 20; 50; 100

 

 

 

 

Таблиця Д11 – Основні параметри деяких транзисторів

 

Тип

транзистора

 

Струк-

тура

PKmax

мВт

h21E

(β)

fh21E

МГц

Граничний

режим

 

Клас за

потужністю

UKmax

IKmax

В

мА

1

2

3

4

5

6

7

8

КТ 103

КТ 104

ГТ 122

ГТ 123

ГТ 124

ГТ 125

КТ 316Г

КТ 315Г

р-п-р

п-р-п

п-р-п

р-п-р

п-р-п

р-п-р

р-п-р

п-р-п

150

150

150

150

150

150

150

150

20-80

20-80

15-45

15-45

28-56

28-56

50-350

50-350

1

1

1

1

1

1

1

1

15

15

35

35

30

30

35

35

50

50

20

20

100

100

50

50

Малої потужності

КТ 502А

КТ 503А

КТ 502В

КТ 503В

ГТ 402А

ГТ 403А

ГТ 402В

ГТ 403В

р-п-р

п-р-п

р-п-р

п-р-п

р-п-р

п-р-п

р-п-р

п-р-п

500

500

500

500

600

600

600

600

30-90

30-90

40-120

40-120

20-40

20-40

30-60

30-60

1

1

1

1

1

1

1

1

40

40

60

60

25

25

40

40

300

300

300

300

500

500

500

500

 

Середньої

потужності

КТ 814А

КТ 814Б

КТ 814В

КТ 814Г

КТ 815А

КТ 815Б

КТ 815В

КТ 815Г

КТ 816А

КТ 816Б

КТ 816В

КТ 816Г

КТ 817А

КТ 817Б

КТ 817В

КТ 817Г

р-п-р

р-п-р

р-п-р

р-п-р

п-р-п

п-р-п

п-р-п

п-р-п

р-п-р

р-п-р

р-п-р

р-п-р

п-р-п

п-р-п

п-р-п

п-р-п

10000

10000

10000

10000

10000

10000

10000

10000

25000

25000

25000

25000

25000

25000

25000

25000

40

40

40

30

40

40

40

30

25

25

25

25

25

25

25

25

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

3

25

40

60

80

25

40

60

80

25

45

60

80

25

45

60

80

1500

1500

1500

1500

1500

1500

1500

1500

3000

3000

3000

3000

3000

3000

3000

3000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Великої

потужності

Таблиця Д12     Основні параметри тиристорів типу Т10

Параметр

Позна

чення

Тиристор

Умови режиму

Т10-

10

T10-16

T10-25

T10-40

T10-

63

T10-

80

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Зворотна

напруга, В (для всіх тиристорів)

Uзв.д

50; 100; 200; 300; 400; 500; 600;

700; 800; 900; 1000; 1100; 1200

 

-

Граничний струм (се­реднє зна­чення), А

Іг

10

16

25

40

63

80

Штучне охолодження

температура корпусу 85°С

Граничний струм з ти­повим охо­лоджувачем (середнє зна­чення), А

Іг0

8

10

12

14

20

25

Охолодженя природне

 по­вітряне;

тем­пература ото­чуючого сере­довища 25°С

Ударний струм, А

Іуд

240

240

600

960

1300

1500

Тривалість ім­пульсу стру­му 10 мс

Порогова напруга, В

U0

1,64

1,44

1,26

1,16

1,094

1,02

-

Динамічний опір у від­критому стані, мОм

Rд

10

7

6,4

4,4

1,8

1,7

-

Відмикаю­чий струм керування, не більше, А

Ік

0,15

0,15

0,15

0,15

0,15

0,15

За прямої напруги на тиристорі

Відмикаюча напруга керування, не більше, В

Uк

3

3

3

4

4

4

-

Загальний встановлений тепловий опір, °С/Вт

RT

5,9

5,3

4,9

3,69

3,5

3,4

3 типовим охолоджува­чем за природного

по­вітряного охолодження

 

Таблиця Д13     Основні параметри мікросхем операційних підсилювачів

Тип

Uдж.н, В

Ісп., мА

Uвх.макс,

В

Uвих.макс,

В

Rн.мін,

кОм

Rвх,

кОм

Івх, мкА

КU,

К1УТ401А

(К140УД1А)

±6,3

4,2

±3*

±2,8

5*

0,004

7

500

К1УТ401Б

(К140УД1Б)

±12,6

8

±6*

±5,7

1350

К140УД1В

±12,6

10

±6*

±5,7

8000

К1УТ402А

(К140УД2А)

±12,6

16

±6

±10

1

0,3

0,7

35000

 

К1УТ402Б

(К140УД2Б)

±6,3

10

±3

±3

3000

 

К140УД5А

(К140УД5Б)

±12

12

±6

±6,5

-4,5

5*

0,05

0,03

5

10

500

1000

 

К140УД6

±15

4

±15

±11

1

1

0,1

30000

 

К140УД7

±15

3,5

±12

±10,5

2

0,4

0,4

30000

 

К140УД8А

К140УД8Б

К140УД8В

±15

3

5

5

±10

±10

2

1000

0,0002

50000

20000

20000

 

К140УД9

±12,6

8

±6

±10

1

0,3

0,35

35000

 

К140УД11

±15

10

±11,5*

±12

2*

1000

0,5

25000

 

К140УД12

±15

0,02

±10

±10

5

50

0,01

200

 

 

Таблиця Д14    Основні параметри мікросхем логіки

Тип
мікросхеми

Функція

Позначення

Тип
 мікросхеми

Функція

Позначення

155ЛИ1

555ЛИ1

SN7408 SN74LS08

´ 4

 

555ЛИ3

531ЛИ3

SN74LS11 SN74S11

´ 3

 

555ЛИ6

SN74LS21

´ 2

 

155ЛА3

555ЛА3

SN7400 SN74LS00

2І–НЕ ´ 4

 

555ЛА4

531ЛА4

SN74LS10 SN74S10

3І–НЕ ´ 3

 

555ЛА6

SN74LS40

4І–НЕ ´ 2

 

155ЛЛ1

555ЛЛ1

SN7432 SN74LS32

2АБО ´ 4

 

155ЛE1

555ЛE1

SN7402 SN74LS02

2АБО–НЕ

´ 4

 

 

Таблиця Д14   продовження

Тип
мікросхеми

Функція

Позначення

Тип
мікросхеми

Функція

Позначення

155ЛE4

555ЛE4

SN7427 SN74LS27

3АБО–НЕ

´ 3

 

155ЛЕ2

SN7423

4АБО–НЕ

´ 2

 

155ЛН1

555ЛН1

SN7404 SN74LS04

НЕ ´ 6